Dr. Gowthamraj Rajendran prisijungė prie Kauno technologijos universiteto (KTU) Elektros ir elektronikos fakulteto kaip Marie Skłodowska-Curie podoktorantūros tyrėjas.
Jo tyrimai skirti naujos kartos galios keitiklių sistemų projektavimui, modeliavimui ir valdymui, ypatingą dėmesį skiriant plačiajuosčių puslaidininkių technologijoms, tokioms kaip galio nitridas (GaN) ir silicio karbidas (SiC).
Šios naujos medžiagos leidžia pasiekti aukštesnius perjungimo dažnius, geresnį šiluminį efektyvumą ir didesnį galios tankį, taip atveriant kelią kompaktiškoms, patikimoms ir energiją taupančioms galios keitiklių architektūroms.
Dr. Gowthamraj Rajendran specializuojasi galios elektronikos, energijos valdymo ir tvarių technologijų srityse, siekdamas pagerinti šiuolaikinių galios elektronikos sistemų efektyvumą, patikimumą ir mastelį.
Savo darbu jis siekia prisidėti prie pasaulinio perėjimo prie tvarių ir išmanių energijos sistemų, derindamas novatorišką aparatinės įrangos projektavimą su pažangiomis valdymo strategijomis.
